К50-35-100В-10 МКФ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К50-35-100В-10 МКФ	1 671	2.77

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MF-0.25-220 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-220 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.00 >100 шт. 1.00
MF-0.5-22 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.5-22 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		140	2.84
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	3 276	10.89
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
Д7Ж				48.00
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный		452	93.84
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	КРЕМНИЙ	80	83.16
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	БРЯНСК	453	117.60
КТ851А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный	RUS