| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
20 764
|
5.52
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 504
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
430
|
1.96
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
50 436
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
1.85
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
7 919
|
3.14
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
1.89
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
519 419
|
1.62
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
63 981
|
2.17
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
41 056
|
1.55
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
4 440
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
6 830
|
1.35
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
76 245
|
1.65
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
729
|
1.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
56 760
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
INFINEON
|
320
|
35.53
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PLINGSEMIC
|
59 136
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
QTC
|
4
|
45.29
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
SIEMENS
|
3 064
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
ISOCOM COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
|
199
|
18.50
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
4N36 |
|
Микросхема — опто транзистор 5.3кВ 30В 0.1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
133
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.50
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
38
|
13.48
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
1 304
|
26.40
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
|
8 148
|
3.10
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
КИТАЙ
|
8
|
24.20
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YJ
|
35 953
|
3.21
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14
|
8.83
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
---
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KLS
|
236
|
9.94
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE
|
22 960
|
3.36
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
HOTTECH
|
9 805
|
3.47
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
3
|
8.06
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SEP
|
8
|
25.51
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
TRR
|
1 520
|
2.38
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KOME
|
4 698
|
4.25
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
5 505
|
2.01
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
RUME
|
4 040
|
2.28
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
|
|
1 000.00
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
INA163UA |
|
ИМС Операционный усилитель инструментальный G:1-10000 >100dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
148
|
|
|