Версия для печати
Технические характеристики M25P32-VMW6G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	FortГ©™
Формат памяти	FLASH
Тип памяти	FLASH
Объем памяти	32M (4M x 8)
Скорость	75MHz
Интерфейс подключения	SPI, 3-Wire Serial
Напряжение питания	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
		FR307 (3A 1000V)		Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
		G6RN15DC [RY210005]		Миниатюрное силовое реле SPDT (1xC) 8A, 5В	OMRON
		G6RN15DC [RY210005]		Миниатюрное силовое реле SPDT (1xC) 8A, 5В			196.40
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI			404.00
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	MICRON
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	NUMONYX
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ФИЛИППИНЫ
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	4-7 НЕДЕЛЬ	248
		MC34063
		MC34063			FCI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"