|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 3.1A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1750pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR11672AS | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR11672AS |
|
169.60 | ||||||
| IR11672AS | INFINEON |
|
|
|||||
| IR11672AS | 4-7 НЕДЕЛЬ | 306 |
|
|||||
| IRF7493PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7493PBF | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF7493PBF |
|
|
||||||
|
|
|
IRF7853PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7853PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7853PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R) |
|
|