IRF5810TRPBF
2P-канальный -20В -2.9А Micro6
Версия для печати
Технические характеристики IRF5810TRPBF
| Power - Max | 960mW |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
