H11A1SR2M


H11A1SR2M (заказ)
H11A1SR2M

Технические характеристики H11A1SR2M

Тип монтажаПоверхностный
Тип выходаTransistor with Base
Current - DC Forward (If)60mA
Voltage - Isolation7500Vpk
Тип входаDC
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Количество каналов1
Current Transfer Ratio (Min)50% @ 10mA
Напряжение выходное30V
Vce Saturation (Max)400mV
Корпус (размер)6-SMD
Output TypeTransistor with Base
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru