2SC5707-TL-E
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040)
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.22UF 250V 10% CL21 |
|
|
||||||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | SANYO |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | 1 | 113.40 | ||||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | КИТАЙ |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONS |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONSEMI |
|
|
|||
 |
BL02RN2R1M2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MURATA | 8 | 320.29 | ||
|
|
BL02RN2R1M2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП |
|
|
|||
|
|
BL02RN2R1M2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MUR |
|
|
||
|
|
BL02RN2R1M2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
BL02RN2R1M2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП | MURATA* |
|
|
||
 |
TL1451 |
|
336.00 | |||||
|
|
TL1451 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 655 |
|
||||
| ПГ-3 11П4НВ | 3 | 537.60 |
