Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2200МКФ 35В (16X25) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		2200МКФ 35В (16X25) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В			48.00
		22МКФ 25В (5X11)		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 25В	SAMSUNG
		22МКФ 25В (5X11)		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 25В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		22МКФ 25В (5X11)		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 25В			8.00
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HITACHI
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz		37	32.76
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	HIT
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	KLS
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	LGE	1 160	6.34
		2SD669A		Транзистор NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz	SUNTAN
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 324	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 804	20.76
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	985	10.31
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 984	7.94
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	ST MICROELECTRONICS
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения			16.80
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTR
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS INSTRUMEN
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	TEXAS	996	22.43
		LM358P		Двухканальный операционный усилитель широкого применения	4-7 НЕДЕЛЬ	585

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"