![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PIC® 12F |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Периферия | POR, WDT |
Число вводов/выводов | 5 |
Размер программируемой памяти | 1.75KB (1K x 14) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 128 x 8 |
Размер памяти | 64 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 4x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Корпус (размер) | 8-VDFN Exposed Pad |
PIC12F675 (PIC) 8-разрядный КМОП микроконтроллер с Flash памятью
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
2SC2383 |
![]() |
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz |
![]() |
11.88 | ||
![]() |
![]() |
2SC2383 |
![]() |
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | FAIR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SC2383 |
![]() |
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|
BZX55C82V |
![]() |
![]() |
||||||
КР1014КТ1В | 677 | 18.50 | ||||||
КР1014КТ1В | ГРАВИТОН |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 520 | 12.88 | ||
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 3 464 | 14.52 | |
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 2 740 | 16.80 | |
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК | 1 398 | 15.75 | |
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ315Г1 |
![]() |
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|