MR2A08AM
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 512к х 8 бит
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Объем памяти | 4M (512K x 8) |
| Скорость | 35ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 48-LFBGA |
| Корпус | 48-FBGA (8x8) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MR2A08AM (MRAM) Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит
Производитель:
|
