MR0A16AС
Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память mram, объемом 64к х 16 бит
|
Версия для печати
| Организация: Слов,K | 64 |
| Организация: Разрядов,бит | 16 |
| Время выборки,нс | 35 |
| VCC,В | от 3 до 3.6 |
| ICCR,мА | 55 |
| ICCW,мА | 105 |
| ICC Standby,мкА | 9 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Корпус | BGA-48 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MR0A16AС (MRAM) Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит
Производитель:
|
