| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
180PF,NPO,+/-5%(J),0805,50V |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
11 033
|
2.90
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
4.60
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
8
|
2.25
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
23 714
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
1.40
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
|
2
|
423.36
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
512
|
|
|
|
|
|
TL084IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
6
|
26.26
|
|
|
|
|
TL084IDT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL084IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
14
|
|
|
|
|
|
TL084IDT |
|
|
|
1 352
|
13.27
|
|
|
|
|
TL084IDT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
589
|
|
|
|
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...
|
|
800
|
10.15
|
|
|
|
КВ121А |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроенные, для применения в ...
|
ХЕРСОН
|
|
|
|