|   | Сдвоенные контроллеры напряжения смещения мощных транзисторов со встроенной постоянной памятью Особенности:
 
   Встроенная постоянная память 4Кб EEPROM для хранения характеристик напряжения смещения  Встроенный усилитель мощности с коэффициентом усиления 2, 10 или 25  Точность задания напряжения ±0.75% в диапазоне от 75мВ до 1250мВ  Максимальное напряжение регулируемого сигнала    +100мВ при коэффициенте усиления 25  +250мВ при коэффициенте усиления 10  +1250мВ при коэффициенте усиления 2  Рабочий диапазон выходного напряжения полевого транзистора от 5В до 32В  Регулируемый диапазон напряжения смещения с низким уровнем шума от 0В до значения AVDD  Ограничитель до значения AGND для защиты транзистора  12-разрядный ЦАП управления напряжением смещения в зависимости от температуры  Встроенная схема контроля температуры  Внешняя 2-х канальная схема измерения температуры с использованием диодов  Встроенный 12-разрядный АЦП для измерения температуры, тока, напряжения  Возможность выбора последовательного интерфейса    400КГц/1.7МГц/3.4МГц интерфейс I2C для управления установками и результатами измерения  16МГц интерфейс SPI-/MICROWIRE для управления установками и результатами измерения   |