M25P128
128мб, 50мгц низкопотребляющая последовательная flash память с интерфейсом spi
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | FortГ©™ |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH |
| Объем памяти | 128M (16M x 8) |
| Скорость | 50MHz |
| Интерфейс подключения | SPI, 3-Wire Serial |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-VDFPN |
| Корпус | 8-VDFPN (8x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
M25P128 (Serial Flash) 128Мб, 50МГц низкопотребляющая последовательная Flash память с интерфейсом SPI
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 272 | 41.58 | |
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | 24 | 49.14 | ||
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт | 1 |
|
|
|
| LTST-C190CKT-L | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTST-C190CKT-L |
|
|
||||||
| LTST-C190CKT-L | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP | 2 894 |
|
|||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | EPSON |
|
|
|||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | ЯПОНИЯ |
|
|
|||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
|
|
TL598CD |
|
420.00 | |||||
|
|
TL598CD | Texas Instruments | 1 | 166.62 | ||||
|
|
TL598CD | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TL598CD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 147 |
|
||||
|
|
TPS51216RUKT |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
TPS51216RUKT |
|
|
|
||||
|
|
TPS51216RUKT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 433 |
|
