K6R4008V1D
Быстродействующая асинхронная sram 512кх8 с напряжением питания 3.3в
Версия для печати
Технические характеристики K6R4008V1D
| Организация: Слов,K | 512 |
| Организация: Разрядов,бит | 8 |
| Время выборки,нс | 8 |
| Ток потребления: ICC,мА | 90 |
| Ток потребления: ICC Shutdown,мкА | 5 |
| VCC,В | от 3 до 3.6 |
| TA,°C | от -40 до 85 |
| Корпус | SOJ-36 (400mil) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
K6R4008V1D (High Speed SRAM)
Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В
Производитель:
Samsung Electronics
|
