IS66WV51216ALL

Версия для печати

Технические характеристики IS66WV51216ALL

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	16
Время выборки,нс	70
Ток потребления: ICC,мА	25
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	120
VCC,В	от 1.7 до 1.95
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	BGA-48

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS66WV51216ALL (High Speed SRAM)

Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16

Производитель:
ISSI

IS66WV51216ALL datasheet
468.4 Кб