IS61WV25616ALL

Версия для печати

Технические характеристики IS61WV25616ALL

Организация: Слов,K	256
Организация: Разрядов,бит	16
Время выборки,нс	10
Ток потребления: ICC,мА	25
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	200
VCC,В	от 1.65 до 2.2
TA,°C	от -40 до 125
Корпус	TQFP-100

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61WV25616ALL (High Speed SRAM)

Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16

Производитель:
ISSI

IS61WV25616ALL datasheet
300.4 Кб