IS61LV12824

Версия для печати

Технические характеристики IS61LV12824

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	SRAM - Asynchronous
Объем памяти	3M (128K x 24)
Скорость	10ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	3.135 V ~ 3.6 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	119-BGA
Корпус	119-BGA (14x22)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IS61LV12824 (High Speed SRAM)

Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх24

Производитель:
ISSI

IS61LV12824 datasheet
77.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYD77G
BYD77G		PHILIPS
BYD77G		OTHER
BYD77G		PHILIPS
MBRA140T3	Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MBRA140T3	Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MMBT2369		FAIR
MMBT2369		FAIRCHILD
MMBT2369		FAIRCHILD	460
MMBT2369
MMBT2369		Fairchild Semiconductor
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW	NXP
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW	ZETEX
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW	FSC
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW	INTERNATIONAL RECTIFIER
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW			18.64
MPSA94	Транзистор биполярный малой мощности PNP 400V, 0.3A, 625mW	ZETEX
STTA106U		SGS
STTA106U		ST MICROELECTRONICS
STTA106U				59.40
STTA106U		SGS THOMSON
STTA106U		STMicroelectronics