IS61LV12824
Быстродействующее асинхронное статическое озу 128кх24
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous |
| Объем памяти | 3M (128K x 24) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3.135 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 119-BGA |
| Корпус | 119-BGA (14x22) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IS61LV12824 (High Speed SRAM) Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх24
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74VHC573TTR |
|
TSSOP20 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 74VHC573TTR |
|
TSSOP20 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||
| 74VHC573TTR |
|
TSSOP20 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| 74VHC573TTR |
|
TSSOP20 | ST MICROELECTR |
|
|
|||
| BYD77G |
|
|
||||||
| BYD77G | PHILIPS |
|
|
|||||
| BYD77G | OTHER |
|
|
|||||
| BYD77G | PHILIPS |
|
|
|||||
| DS90CR286AMTD | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| DS90CR286AMTD | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 6 |
|
|||||
| DS90CR286AMTD |
|
|
||||||
| DS90CR286AMTD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 56 |
|
|||||
| MBRA140T3 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MBRA140T3 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=1A, Vf=0.55V@1A, -55 to +125C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
 |
STTA106U | SGS |
|
|
||||
|
|
STTA106U | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
STTA106U |
|
59.40 | |||||
|
|
STTA106U | SGS THOMSON |
|
|
||||
|
|
STTA106U | STMicroelectronics |
|
|
