IDT71V416L
Асинхронная статическая память объемом 4мб (256кх16) и напряжением 3.3в
Версия для печати
Технические характеристики IDT71V416L
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM |
| Объем памяти | 4M (256K x 16) |
| Скорость | 10ns |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 48-TFBGA |
| Корпус | 48-CABGA (9x9) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IDT71V416L (High Speed SRAM)
Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В
Производитель:
IDT
|