IDT71T016SA

Версия для печати

Технические характеристики IDT71T016SA

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	SRAM - Asynchronous
Объем памяти	1M (64K x 16)
Скорость	12ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	2.375 V ~ 2.625 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	48-LFBGA
Корпус	48-CABGA (7x7)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IDT71T016SA (High Speed SRAM)

Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В

Производитель:
IDT

IDT71T016SA datasheet
477.2 Кб