DS1220AB

Версия для печати

Технические характеристики DS1220AB

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти	16K (2K x 8)
Скорость	100ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	24-DIP (600 mil) Module
Корпус	24-EDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DS1220AB (NVSRAM)

Энергонезависимая SRAM емкостью 16Кб

Производитель:
Maxim

DS1220AB datasheet
158.7 Кб