CY7C1006BN
Статическая память 256k x 4
Версия для печати
Технические характеристики CY7C1006BN
| Организация: Слов,K | 256 |
| Организация: Разрядов,бит | 4 |
| Время выборки,нс | 15 |
| Ток потребления: ICC,мА | 80 |
| Ток потребления: ICC Shutdown,мкА | 5 |
| VCC,В | от 4.5 до 5.5 |
| TA,°C | от -45 до 85 |
| Корпус | SOJ-28 (300mil) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
CY7C1006BN (High Speed SRAM)
Статическая память 256K x 4
Производитель:
Cypress Semiconductor
|
