BS62UV256

Версия для печати

Технические характеристики BS62UV256

Организация: Слов,K	32
Организация: Разрядов,бит	8
Время выборки,нс	100
Ток потребления: ICC,мА	20
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	0.4
VCC,В	от 1.8 до 3.6
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	DIP-28

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS62UV256 (Low Power SRAM)

Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память

Производитель:
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)

BS62UV256 datasheet
237.5 Кб