BS62LV256

Версия для печати

Технические характеристики BS62LV256

Организация: Слов,K	32
Организация: Разрядов,бит	8
Время выборки,нс	55
Ток потребления: ICC,мА	35
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА	1
VCC,В	от 2.4 до 5.5
TA,°C	от -40 до 85
Корпус	DIP-28

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BS62LV256 (Low Power SRAM)

Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память

Производитель:
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI)

BS62LV256 datasheet
238.9 Кб