ZXMN6A09DN8

Версия для печати

Технические характеристики ZXMN6A09DN8

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1407pF @ 40V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ZXMN6A09DN8 (MOSFET)

60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET

Производитель:
Zetex

ZXMN6A09DN8 datasheet
578.5 Кб