ZXMN2B03E6
20v sot23 n-channel enhancement mode mosfet with low gate drive capability
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1160pF @ 10V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23-6 |
| Корпус | SOT-23-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZXMN2B03E6 (MOSFET) 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AH102A |
|
|
||||||
| AH102A | DO NOT USE |
|
|
|||||
| AH102A | W.J COMMUNICATION |
|
|
|||||
 |
 |
LMX2316TM |
|
Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ... | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LMX2316TM |
|
Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ... |
|
214.80 | ||
|
|
|
LMX2316TM |
|
Синтезатор частоты 50...1200MГц; Uпит=2.7...5.5В; Iпот=2мА; -40...+85C Тип корпуса: ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 186 |
|
