ZXMN2B01F
20v sot23 n-channel enhancement mode mosfet with low gate drive capability
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 10V |
| Power - Max | 625mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZXMN2B01F (MOSFET) 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
Производитель:
|
