STS1HNK60

Версия для печати

Технические характеристики STS1HNK60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	156pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS1HNK60 (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 8W - 0.3A SO-8 SuperMESH™ POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS1HNK60 datasheet
302.7 Кб