Версия для печати
Технические характеристики STP8NK80Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1320pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP8NK80Z (MOSFET) N-channel 800V - 1.3? - 6.2A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP8NK80Z datasheet 417.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFP620FH7764			INFINEON
		BFP620FH7764
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
		BYG20J-E3/TR		Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		440	10.24
		ES3D		Диод	FAIR
		ES3D		Диод	GENERAL SEMICONDUCTOR
		ES3D		Диод	FSC
		ES3D		Диод		7 072	3.38
		ES3D		Диод	FAIRCHILD
		ES3D		Диод	FAIRCHILD	3 659
		ES3D		Диод	GENERAL SEMICONDUCTOR	30
		ES3D		Диод	Fairchild Semiconductor
		ES3D		Диод	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	1 200
		ES3D		Диод	ТАИЛАНД
		ES3D		Диод	YJ	149 542	4.13
		ES3D		Диод	ONS
		ES3D		Диод	ONS-FAIR
		ES3D		Диод	SUNTAN
		ES3D		Диод	YANGJIE	7 200	3.39
		ES3D		Диод	YANGJIE (YJ)
		ES3D		Диод	KLS	130	2.99
		ES3D		Диод	HOTTECH	1 255	3.59
		ES3D		Диод	YANGZHOU YANGJIE
		ES3D		Диод	КИТАЙ	77	3.64
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	1 096	35.76
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 088	35.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		ГТС609Б				23	55.50
		ГТС609Б				23	55.50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"