STP23NM60N
N-channel 600 v - 0.150 ? - 19 a - to-220, second generation mdmesh™ power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 50V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STP23NM60N (MOSFET) N-channel 600 V - 0.150 ? - 19 A - TO-220, second generation MDmesh™ Power MOSFET
Производитель:
|
