STN1HNK60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STN1HNK60 (ST MICROELECTRONICS)	2 864	21.48
STN1HNK60	2 920	40.55
STN1HNK60	2 920	40.55

Версия для печати

Технические характеристики STN1HNK60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	400mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	156pF @ 25V
Power - Max	3.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN1HNK60 (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 8? - 1A SOT-223 SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN1HNK60 datasheet
427 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1% 4K32
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	183 612	1.76
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.80 >100 шт. 0.90
VS-HFA30PA60CPBF	Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY/IR
VS-HFA30PA60CPBF	Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY
LM2904 SO-8
UCC28810 EVM002		TEXAS INSTRUMENTS