STGB19NC60KD
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
Версия для печати
Технические характеристики STGB19NC60KD
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 12A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Power - Max | 125W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGB19NC60KD (IGBT)
IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания
Производитель:
STMicroelectronics
|
