STGB10NB40LZ
Igbt-транзистор на 410 в, 20 а
Версия для печати
Технические характеристики STGB10NB40LZ
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 4.5V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Power - Max | 150W |
| Тип входа | Logic |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGB10NB40LZ (IGBT)
IGBT-транзистор на 410 В, 20 А
Производитель:
STMicroelectronics
|
