STD1NK60

Версия для печати

Технические характеристики STD1NK60

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	156pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD1NK60 (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 8? - 1A DPAK/IPAK SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD1NK60 datasheet
427 Кб