STD110NH02L

Версия для печати

Технические характеристики STD110NH02L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	93nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4450pF @ 15V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD110NH02L (MOSFET)

N-channel 24V - 0.0044? - 80A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD110NH02L datasheet
461.3 Кб