STB4NK60Z


N-channel 600 v - 1.76 ? - 4 a supermesh™ power mosfet d2pak - i2pak

Купить STB4NK60Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STB4NK60Z
Версия для печати

Технические характеристики STB4NK60Z

FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSuperMESH™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max70W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB4NK60Z (MOSFET)

N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET D2PAK - I2PAK

Производитель:
STMicroelectronics

STB4NK60Z datasheet
577.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход