SiR494DP
N-channel 12-v (d-s) mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6900pF @ 6V |
| Power - Max | 104W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SiR494DP (MOSFET) N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
