SiA419DJ


P-channel 20-v (d-s) mosfet

SiA419DJ (заказ)
SiA419DJ

Технические характеристики SiA419DJ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs29nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1500pF @ 10V
Power - Max19W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SC-70-6
КорпусPowerPAK® SC-70-6 Single
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru