Si8451DB

Версия для печати

Технические характеристики Si8451DB

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 10V
Power - Max	13W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-MICRO FOOT™
Корпус	6-Micro Foot™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si8451DB (MOSFET)

P-Channel 1.5 V Rated MOSFET

Производитель:
Vishay

Si8451DB datasheet
139.3 Кб