Si8429DB
P-channel 1.2-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1640pF @ 4V |
| Power - Max | 6.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 4-Microfoot |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si8429DB (MOSFET) P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
