Si8417DB
P-channel 1.8-v (g-s) mosfet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2220pF @ 6V |
| Power - Max | 6.57W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-MICRO FOOT™ |
| Корпус | 6-Micro Foot™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si8417DB (MOSFET) P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
|
