Si7922DN
Dual n-channel 100-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si7922DN
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si7922DN (MOSFET)
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
