Si7601DN

Версия для печати

Технические характеристики Si7601DN

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1870pF @ 10V
Power - Max	52W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® 1212-8
Корпус	PowerPAK® 1212-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si7601DN (MOSFET)

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si7601DN datasheet
113.6 Кб