Si7170DP

Версия для печати

Технические характеристики Si7170DP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4355pF @ 15V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si7170DP (MOSFET)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si7170DP datasheet
140.5 Кб