Si5857DU
P-channel 20-v (d-s) mosfet with schottky diode
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Power - Max | 10.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Корпус | PowerPAK® ChipFet Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si5857DU (MOSFET) P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Производитель:
|
