Si5855DC
P-channel 1.8-v (g-s) mosfet with schottky diode
Версия для печати
Технические характеристики Si5855DC
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 1206-8 ChipFET™ |
| Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si5855DC (MOSFET)
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
Производитель:
Vishay
|
