Si4628DY

Версия для печати

Технические характеристики Si4628DY

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SkyFET®, TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	38A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 15V
Power - Max	7.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4628DY (MOSFET)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Производитель:
Vishay

Si4628DY datasheet
104.1 Кб