Si4621DY

Версия для печати

Технические характеристики Si4621DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 10V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4621DY (MOSFET)

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Производитель:
Vishay

Si4621DY datasheet
138 Кб