Si3851DV
P-channel 30-v (d-s) rated mosfet with schottky diode
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.6nC @ 5V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si3851DV (MOSFET) P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET with Schottky Diode
Производитель:
|
