Si3812DV

Версия для печати

Технические характеристики Si3812DV

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si3812DV (MOSFET)

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Производитель:
Vishay

Si3812DV datasheet
108.3 Кб